O presidente Luiz In�cio Lula da Silva anunciou nesta quinta-feira (19 de fevereiro) o aporte de R$ 40 milh�es para o
Ceitec (Centro Nacional de Tecnologia Eletr�nica Avan�ada), empresa p�blica criada em 2008 que ir� produzir semicondutores e sistemas de circuitos integrados. O CEITEC est� sendo instalado em um complexo de 14.600 m�, constru�do em uma �rea de aproximadamente 5,6 ha , localizado na Estrada Jo�o de Oliveira Remi�o, n� 777, bairro Agronomia, em Porto Alegre/RS.
A empresa deve produzir circuitos integrados em pequena escala e ir� formar e estimular a forma��o de m�o-de-obra especializada. A expectativa � de que a produ��o da tecnologia tamb�m tenha o efeito de atrair para o pa�s empresas de �reas como inform�tica e telefonia.
O governo federal investiu inicialmente R$ 270 milh�es na constru��o e nas instala��es do pr�dio da Ceitec, em
Porto Alegre. A instala��o ser� inaugurada em julho. A expectativa, de acordo com o Minist�rio de Ci�ncia e Tecnologia, � que seja formado um total de 1.500 profissionais at� 2010 para atuarem no centro.
O an�ncio dos recursos foi feito em cerim�nia reservada, no Pal�cio do Planalto, com a presen�a do Presidente Luiz In�cio Lula da Silva e a participa��o do ministro de Ci�ncia e Tecnologia, S�rgio Rezende. Na ocasi�o foi empossado o presidente da Ceitec, Eduard Weichselbaumer. Weichselbaumer � um alem�o naturalizado norte-americano e que tem larga experi�ncia no setor. Na mesma cerim�nia, o presidente deu posse ao diretor da f�brica da Ceitec, Faivel Pintchovski, um brasileiro que se naturalizou norte-americano.
A partir da assinatura de um acordo estrat�gico de licenciamento para troca de tecnologia com a foundry alem�
X-Fab, o CEITEC est� autorizado a utilizar o processo de fabrica��o com tecnologia estado da arte de 0,6 m�cron, o qual � totalmente compat�vel com o utilizado pela X-Fab, incluindo o
design kit (interface com as demais
Design Houses).
O processo ser� utilizado em aplica��es automotivas, industriais e de gerenciamento de pot�ncia com poss�vel extens�o para dispositivos optoeletr�nicos e sistemas microeletromec�nicos.
A tecnologia utilizada ser� o processo
Complementary-Metal-Oxide-Semiconductor, CMOS
mixed signal com comprimento de canal de 0,6 �m, 3 n�veis de metaliza��o, mem�ria vol�til (EEPROM) embarcada, resistores de sil�cio de alta resistividade e diodos Schottky.
Este m�todo ser� usado para a prototipagem de circuitos digitais, anal�gicos ou
mixed-signal, em l�minas de sil�cio de 150 mm de di�metro.
Posteriormente, o projeto prev� a evolu��o deste procedimento atrav�s da implanta��o de equipamentos de processo para a prototipagem de circuitos integrados com comprimento de canal de 0,35�m.
Fonte: Ag�ncia Brasil + CEITEC + Folha Online